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4N33VM

更新时间： 2024-02-23 16:39:54

品牌	Logo	应用领域
安森美 - ONSEMI		输出元件光电
页数	文件大小	规格书
12页	337K
描述
6 引脚 DIP 通用光电达林顿光耦合器

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技术参数
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4N33VM 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
包装说明：	DIP-6	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.40.80.00
Factory Lead Time：	2 weeks	风险等级：	1.7
其他特性：	UL APPROVED, VDE APPROVED	Coll-Emtr Bkdn Voltage-Min：	30 V
配置：	SINGLE	当前传输比率-最小值：	500%
最大暗电源：	100 nA	最大正向电流：	0.08 A
最大正向电压：	1.5 V	最大绝缘电压：	4170 V
JESD-609代码：	e3	安装特点：	THROUGH HOLE MOUNT
元件数量：	1	最大通态电流：	0.15 A
最高工作温度：	100 °C	最低工作温度：	-40 °C
光电设备类型：	DARLINGTON OUTPUT OPTOCOUPLER	包装方法：	TUBE
最大功率耗散：	0.15 W	最长响应时间：	0.000005 s
子类别：	Optocoupler - Transistor Outputs	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin (Sn)	Base Number Matches：	1

4N33VM 数据手册

4N29M, 4N30M, 4N32M, 4N33M, H11B1M, TIL113M

TYPICAL PERFORMANCE CURVES (continued)

1000

100

5.0

4.5

4.0

3.5

= 10 mA

= 10 V

I = 2 mA

= 25_C

R = 100 W

off

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

0.1

100

1000

10000

100000

0.1

100

– Base Resistance (kW)

R – Load Resistor (kW)

Figure 7. Switching Speed vs. Load Resistor

Figure 8. Normalized t_onvs. R_BE

10000

1000

100

1.4

1.3

1.2

1.1

1.0

0.9

0.8

0.7

0.6

= 10 V

= 25_C

= 10 V

= 2 mA

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

R = 100 W

0.01

0.001

100

1000

10000

100000

100

– Base Resistance (kW)

– Ambient Temperature (_C)

Figure 9. Normalized t_offvs. R_BE

Figure 10. Dark Current vs. Ambient Temperature

SWITCHING TIME TEST CIRCUIT AND WAVEFORMS

WAVE FORMS

TEST CIRCUIT

V_CC= 10 V

INPUT PULSE

I_C

I_F

R_L

10%

INPUT

OUTPUT

OUTPUT PULSE

90%

R_BE

t_f

t_off

t_on

Adjust I to produce I = 2 mA

Figure 11. Switching Time Test Circuit and Waveforms

www.onsemi.com

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