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4N32M

更新时间: 2024-01-04 14:45:35
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 输出元件光电
页数 文件大小 规格书
12页 337K
描述
6引脚DIP通用光敏达灵顿光电耦合器

4N32M 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Active包装说明:DIP-6
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.63
Is Samacsys:N其他特性:UL APPROVED
Coll-Emtr Bkdn Voltage-Min:30 V配置:SINGLE
标称电流传输比:500%最大暗电源:100 nA
最大正向电流:0.08 A最大绝缘电压:7500 V
JESD-609代码:e3元件数量:1
最高工作温度:100 °C最低工作温度:-40 °C
光电设备类型:DARLINGTON OUTPUT OPTOCOUPLER端子面层:MATTE TIN
Base Number Matches:1

4N32M 数据手册

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4N29M, 4N30M, 4N32M, 4N33M, H11B1M, TIL113M  
TYPICAL PERFORMANCE CURVES (continued)  
1000  
100  
10  
5.0  
4.5  
4.0  
3.5  
I
V
T
= 10 mA  
V
= 10 V  
F
CC  
= 10 V  
I = 2 mA  
CC  
C
= 25_C  
R = 100 W  
L
A
T
off  
3.0  
2.5  
2.0  
1.5  
1.0  
0.5  
T
f
T
on  
1
T
r
0.1  
10  
100  
1000  
10000  
100000  
0.1  
1
10  
100  
R
– Base Resistance (kW)  
R – Load Resistor (kW)  
BE  
Figure 7. Switching Speed vs. Load Resistor  
Figure 8. Normalized ton vs. RBE  
10000  
1000  
100  
10  
1.4  
1.3  
1.2  
1.1  
1.0  
0.9  
0.8  
0.7  
0.6  
V
T
A
= 10 V  
= 25_C  
CE  
1
V
= 10 V  
= 2 mA  
0.5  
0.4  
0.3  
0.2  
0.1  
CC  
0.1  
I
C
R = 100 W  
L
0.01  
0.001  
10  
100  
1000  
10000  
100000  
0
20  
40  
60  
80  
100  
R
– Base Resistance (kW)  
T
A
– Ambient Temperature (_C)  
BE  
Figure 9. Normalized toff vs. RBE  
Figure 10. Dark Current vs. Ambient Temperature  
SWITCHING TIME TEST CIRCUIT AND WAVEFORMS  
WAVE FORMS  
TEST CIRCUIT  
VCC = 10 V  
INPUT PULSE  
IC  
IF  
RL  
10%  
INPUT  
OUTPUT  
OUTPUT PULSE  
90%  
RBE  
t
r
tf  
toff  
ton  
Adjust I to produce I = 2 mA  
F
C
Figure 11. Switching Time Test Circuit and Waveforms  
www.onsemi.com  
6

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