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4N32M

更新时间： 2024-01-21 13:29:37
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 输出元件光电
页数 文件大小 规格书
12页 337K
描述
6引脚DIP通用光敏达灵顿光电耦合器

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4N32M 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active包装说明：DIP-6
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.63
Is Samacsys：N其他特性：UL APPROVED
Coll-Emtr Bkdn Voltage-Min：30 V配置：SINGLE
标称电流传输比：500%最大暗电源：100 nA
最大正向电流：0.08 A最大绝缘电压：7500 V
JESD-609代码：e3元件数量：1
最高工作温度：100 °C最低工作温度：-40 °C
光电设备类型：DARLINGTON OUTPUT OPTOCOUPLER端子面层：MATTE TIN
Base Number Matches：1

4N32M 数据手册

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4N29M, 4N30M, 4N32M, 4N33M, H11B1M, TIL113M  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
TOTAL DEVICE  
T
Storage Temperature  
Operating Temperature  
Junction Temperature  
Lead Solder Temperature  
−40 to +125  
−40 to +100  
−40 to +125  
260 for 10 seconds  
270  
°C  
°C  
STG  
OPR  
T
T
J
°C  
T
°C  
SOL  
P
Total Device Power Dissipation @ T = 25°C  
mW  
mW/°C  
D
A
Derate Above 25°C  
3.3  
EMITTER  
I
Continuous Forward Current  
80  
3
mA  
V
F
V
Reverse Voltage  
R
(pk)  
I
Forward Current – Peak (300 ms, 2% Duty Cycle)  
3.0  
120  
2.0  
A
F
P
D
LED Power Dissipation @ T = 25°C  
mW  
mW/°C  
A
Derate Above 25°C  
DETECTOR  
BV  
BV  
BV  
Collector−Emitter Breakdown Voltage  
Collector−Base Breakdown Voltage  
Emitter−Collector Breakdown Voltage  
30  
30  
V
V
CEO  
CBO  
ECO  
5
V
P
Detector Power Dissipation @ T = 25°C  
150  
2.0  
150  
mW  
mW/°C  
mA  
D
A
Derate Above 25°C  
I
C
Continuous Collector Current  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the device. If any of these limits are exceeded, device functionality  
should not be assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS − INDIVIDUAL COMPONENT CHARACTERISTICS  
(T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Symbol  
Parameter  
Test Conditions  
Device  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
EMITTER  
V
Input Forward Voltage (Note 2)  
Reverse Leakage Current (Note 2)  
Capacitance (Note 2)  
I = 10 mA  
4NXXM  
−
1.2  
1.2  
1.5  
1.5  
V
V
F
F
H11B1M,  
TIL113M  
0.8  
I
R
V
R
= 3.0 V  
4NXXM  
−
−
0.001  
0.001  
100  
10  
mA  
mA  
VR = 6.0 V  
H11B1M,  
TIL113M  
C
V = 0 V, f = 1.0 MHz  
F
All  
−
150  
60  
−
−
pF  
V
DETECTOR  
BV  
Collector−Emitter Breakdown Voltage  
(Note 2)  
I
C
= 1.0 mA, I = 0  
4NXXM,  
TIL113M  
30  
CEO  
B
H11B1M  
All  
25  
30  
60  
−
−
V
V
BV  
BV  
Collector−Base Breakdown Voltage  
I
I
= 100 mA, I = 0  
100  
CBO  
C
E
(Note 2)  
Emitter−Collector Breakdown Voltage  
(Note 2)  
= 100 mA, I = 0  
4NXXM  
5.0  
7
10  
10  
−
−
V
V
ECO  
E
B
H11B1M,  
TIL113M  
I
Collector−Emitter Dark Current (Note 2)  
V
CE  
= 10 V, Base Open  
All  
−
1
100  
nA  
CEO  
Product parametric performance is indicated in the Electrical Characteristics for the listed test conditions, unless otherwise noted. Product  
performance may not be indicated by the Electrical Characteristics if operated under different conditions.  
2. Indicates JEDEC registered data.  
www.onsemi.com  
3
 
1234567...12

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