4N26

更新时间： 2024-02-28 03:41:35

品牌	Logo	应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA		晶体光电晶体管输出元件
页数	文件大小	规格书
6页	284K
描述
6-Pin DIP Optoisolators Transistor Output

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

4N26 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8541.40.80.00	风险等级：	5.22
其他特性：	UL RECOGNIZED, VDE APPROVED	Coll-Emtr Bkdn Voltage-Min：	30 V
配置：	SINGLE	当前传输比率-最小值：	20%
标称电流传输比：	20%	最大暗电源：	50 nA
最大正向电流：	0.06 A	最大正向电压：	1.5 V
最大绝缘电压：	5300 V	JESD-609代码：	e3
安装特点：	SURFACE MOUNT	元件数量：	1
最高工作温度：	100 °C	最低工作温度：	-55 °C
光电设备类型：	TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER	最大功率耗散：	0.16 W
子类别：	Optocoupler - Transistor Outputs	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN	Base Number Matches：	1

4N26 数据手册

(1)

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)

(1)

Typ

Characteristic

INPUT LED

Symbol

Min

Max

Unit

Forward Voltage (I = 10 mA)

= 25°C

= –55°C

= 100°C

—

1.15

1.3

1.05

1.5

—

Volts

Reverse Leakage Current (V = 3 V)

—

100

—

µA

Capacitance (V = 0 V, f = 1 MHz)

OUTPUT TRANSISTOR

Collector–Emitter Dark Current

4N25,25A,26,27

4N28

—

100

CEO

= 10 V, T = 25°C

= 10 V, T = 100°C)

All Devices

—

0.2

100

7.8

500

—

µA

CEO

Collector–Base Dark Current (V

= 10 V)

Collector–Emitter Breakdown Voltage (I = 1 mA)

CBO

Volts

—

(BR)CEO

(BR)CBO

(BR)ECO

Collector–Base Breakdown Voltage (I = 100 µA)

Emitter–Collector Breakdown Voltage (I = 100 µA)

DC Current Gain (I = 2 mA, V

= 5 V)

Collector–Emitter Capacitance (f = 1 MHz, V

—

= 0)

Collector–Base Capacitance (f = 1 MHz, V

= 0)

Emitter–Base Capacitance (f = 1 MHz, V

= 0)

COUPLED

(2)

I (CTR)

Output Collector Current (I = 10 mA, V

= 10 V)

mA (%)

4N25,25A,26

4N27,28

2 (20)

1 (10)

7 (70)

5 (50)

—

Collector–Emitter Saturation Voltage (I = 2 mA, I = 50 mA)

CE(sat)

—

0.15

2.8

4.5

1.2

1.3

—

0.5

—

Volts

µs

(3)

Turn–On Time (I = 10 mA, V

= 10 V, R = 100 Ω)

off

(3)

Turn–Off Time (I = 10 mA, V

= 10 V, R = 100 Ω)

—

µs

(3)

Rise Time (I = 10 mA, V

= 10 V, R = 100 Ω)

—

µs

(3)

Fall Time (I = 10 mA, V

= 10 V, R = 100 Ω)

—

µs

(4)

Isolation Voltage (f = 60 Hz, t = 1 sec)

ISO

7500

Vac(pk)

Ω

(4)

Isolation Resistance (V = 500 V)

Isolation Capacitance (V = 0 V, f = 1 MHz)

—

(4)

—

0.2

1. Always design to the specified minimum/maximum electrical limits (where applicable).

2. Current Transfer Ratio (CTR) = I /I x 100%.

C F

3. For test circuit setup and waveforms, refer to Figure 11.

4. For this test, Pins 1 and 2 are common, and Pins 4, 5 and 6 are common.

Motorola Optoelectronics Device Data

123 4 5 6

下载PDF

与4N26相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
4N26(LF1)	TOSHIBA	Optocoupler - Transistor Output, 1 CHANNEL TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER, DIP-6	获取价格
4N26(LF2)	TOSHIBA	Optocoupler - Transistor Output, 1 CHANNEL TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER, DIP-6	获取价格
4N26(LF4)	TOSHIBA	Optocoupler - Transistor Output, 1 CHANNEL TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER, DIP-6	获取价格
4N26(LF5)	TOSHIBA	Optocoupler - Transistor Output, 1 CHANNEL TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER, DIP-6	获取价格
4N26(SHORT)	TOSHIBA	PHOTOCOUPLER TRANS OUT 6-DIP	获取价格
4N26(TA)	EVERLIGHT	Transistor Output Optocoupler, 1-Element, 5000V Isolation, ROHS COMPLIANT, DIP-6	获取价格

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

4N26

4N26 技术参数

4N26 数据手册

与4N26相关器件

与4N26相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

4N26

4N26 技术参数

4N26 数据手册

与4N26相关器件

与4N26相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？