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4N26

更新时间： 2024-02-06 11:52:00
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 光电输出元件
页数 文件大小 规格书
6页 409K
描述
Industry Standard Single Channel 6 Pin DIP Optocoupler

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4N26 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：ActiveReach Compliance Code：unknown
HTS代码：8541.40.80.00风险等级：5.22
其他特性：UL RECOGNIZED, VDE APPROVEDColl-Emtr Bkdn Voltage-Min：30 V
配置：SINGLE当前传输比率-最小值：20%
标称电流传输比：20%最大暗电源：50 nA
最大正向电流：0.06 A最大正向电压：1.5 V
最大绝缘电压：5300 VJESD-609代码：e3
安装特点：SURFACE MOUNT元件数量：1
最高工作温度：100 °C最低工作温度：-55 °C
光电设备类型：TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER最大功率耗散：0.16 W
子类别：Optocoupler - Transistor Outputs表面贴装：YES
端子面层：TINBase Number Matches：1

4N26 数据手册

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4N35/36/37/38—Characteristics T =25°C  
A
Emitter  
Symbol  
Min. Typ. Max. Unit  
Condition  
Forward Voltage*  
V
1.3  
1.5  
1.7  
V
I =10 mA  
F
F
F
0.9  
I =10 mA, T =–55°C  
A
Reverse Current*  
Capacitance  
Detector  
I
0.1  
25  
10  
µA  
V =6.0 V  
R
R
C
—
pF  
V =0, f=1.0 MHz  
R
O
Breakdown Voltage, Collector-Emitter*  
4N35/36/37  
BV  
30  
80  
7.0  
70  
80  
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
50  
50  
500  
—
—
V
I =1.0 mA  
CEO  
C
4N38  
—
Breakdown Voltage, Emitter-Collector*  
Breakdown Voltage, Collector-Base*  
BV  
BV  
—
V
I =100 µA  
ECO  
CBO  
E
4N35/36/37  
4N38  
—
V
I =100 µA, I =1.0 µA  
C
B
—
—
nA  
Leakage Current, Collector-Emitter*  
Leakage Current, Collector-Emitter*  
4N35/36/37  
4N38  
I
I
5.0  
—
V
=10 V, I =0  
F
CEO  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
V
V
V
V
=60 V, I =0  
F
4N35/36/37  
4N38  
—
µA  
pF  
%
=30 V, I =0, T =100°C  
CEO  
F
A
6.0  
6.0  
=60 V, I =0, T =100°C  
F A  
Capacitance, Collector-Emitter  
Package  
C
=0  
CE  
DC Current Transfer Ratio*  
4N35/36/37  
4N38  
CTR  
100  
20  
40  
—
—
—
—
—
—
—
—
—
V
V
V
=10 V, I =10 mA,  
F
CE  
CE  
CE  
—
=1.0 V, I =20 mA  
F
DC Current Transfer Ratio*  
4N35/36/37  
4N38  
CTR  
50  
30  
—
%
=10 V, IF=10 mA,  
T =–55 to 100°C  
A
—
—
Ω
11  
Resistance, Input to Output*  
Coupling Capacitance  
R
10  
—
—
V =500 V  
IO  
IO  
C
0.5  
10  
pF  
µs  
f=1.0 MHz  
IO  
Switching Time*  
tON, tOFF  
I =2.0 mA, R =100 Ω, V =10 V  
C
L
CC  
* Indicates JEDEC registered value  
H11A1 through H11A5—Characteristics T =25°C  
A
Emitter  
Symbol  
Min. Typ. Max. Unit  
Condition  
Forward Voltage  
H11A1–H11A4  
V
—
—
—
—
1.1  
1.1  
—
1.5  
1.7  
10  
—
V
IF=10 mA  
F
H11A5  
Reverse Current  
I
µA  
VR=3.0 V  
R
Capacitance  
C
50  
pF  
VR=0, f=1.0 MHz  
0
Detector  
Breakdown Voltage, Collector-Emitter  
Breakdown Voltage, Emitter-Collector  
Breakdown Voltage, Collector-Base  
Leakage Current, Collector-Emitter  
Capacitance, Collector-Emitter  
Package  
BV  
BV  
BV  
30  
7.0  
70  
—
—
—
—
—
50  
—
V
IC=1.0 mA, I =0 mA  
CEO  
ECO  
CBO  
F
—
V
I =100 µA, I =0 mA  
E
F
—
V
IC=10 µA, I =0 mA  
F
I
5.0  
6.0  
nA  
pF  
VCE=10 V, I =0 mA  
CEO  
F
C
—
VCE=0  
CE  
DC Current Transfer Ratio  
H11A1  
H11A2/3  
H11A4  
H11A5  
CTR  
50  
20  
10  
30  
—
—
—
—
—
—
—
—
0.4  
—
—
%
VCE=10 V, IF=10 mA  
—
—
—
Saturation Voltage, Collector-Emitter  
Capacitance, Input to Output  
Switching Time  
V
—
V
I
=0.5 mA, IF=10 mA  
CE  
CE  
sat  
C
0.5  
3.0  
pF  
µs  
—
IO  
tON, tOFF  
IC=2.0 mA, R =100 Ω, V =10 V  
L CE  
2001 Infineon Technologies Corp. • Optoelectronics Division • San Jose, CA  
www.infineon.com/opto • 1-888-Infineon (1-888-463-4636)  
Phototransistor, Industry Standard  
March 27, 2000-00  
2–55  
123456

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