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40HF10

更新时间： 2024-01-02 23:46:09
品牌 Logo 应用领域
NAINA 二极管
页数 文件大小 规格书
1页 74K
描述
SILICON POWER DIODES

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40HF10 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：DO-5
包装说明：DO-5, 1 PIN针数：1
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8541.10.00.80
风险等级：1.81应用：GENERAL PURPOSE
外壳连接：CATHODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：DO-203ABJESD-30 代码：O-MUPM-D1
最大非重复峰值正向电流：595 A元件数量：1
相数：1端子数量：1
最高工作温度：190 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：40 A封装主体材料：METAL
封装形状：ROUND封装形式：POST/STUD MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
参考标准：CECC50009-038最大重复峰值反向电压：100 V
表面贴装：NO端子形式：SOLDER LUG
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

40HF10 数据手册

  
40HF/40HFR  
NAINA  
SILICON POWER DIODES  
DO-5  
FEATURES  
•
•
•
•
All Diffused Series  
40 HF/ HFR  
7
Available in Normal & Reverse Polarity  
Industrial Grade  
POLARITY  
Ø 4.0  
A
C
27  
12  
Available In Avalanche Characteristic  
* Available in metric and UNF thread  
ELECTRICALSPECIFICATIONS  
C
A
Reverse  
Normal  
17 A/F  
11.5  
M8 x 1.25  
16  
F(AV)  
I
Maximum Average Forward  
40A  
1.2V  
Ø 8.0  
0
Current Te=140 C  
VFM  
IFRM  
IFRM  
Maximum peak forward  
voltage drop @ Rated IF(AV)  
Maximum peak one cycle  
(non-rep) surge current 10 m sec  
Maximum peak repetitive  
surge current  
POLARITY  
A
C
A
500 A  
200 A  
C
Reverse  
Normal  
32  
12  
17 A/F  
2
2
2
1200A Sec  
I tMaximum I t rating (non-rep.)  
for 5 to 10 m sec  
11.5  
M 8 x 1.25  
THERMALMECHANICALSPECIFICATIONS  
θJC  
Tj  
Maximum thermal resistance Junction to case  
10C/W  
Operating Junction Temp.  
Storage temperature  
Mounting torque  
(Non-lubricated threads)  
Approx, weight  
-650C to 1500C  
-650C to 2000C  
0.4 M-kg min,  
0.6 M-kg max  
13.5 & 30 gms.  
Tstg  
W
ELECTRICALRATINGS  
TYPE  
VRRM  
40HF/HFR  
Max. repetitive peak reverse  
voltage (v)  
10  
100  
20  
40  
60  
80  
100  
120  
140  
160  
200 400 600  
800 1000  
1200 1400 1600  
VR(RMS)  
VR  
Max. R.M.S. reverse voltage (V) 70  
140 280 420  
200 400 600  
560  
700  
840  
980 1120  
Max. D.C. Blocking Voltage (V)  
100  
800 1000  
1200 1400 1600  
Recommended R.M.S. working  
Voltage(v)  
40  
80  
160 240  
320  
200  
400  
200  
480  
200  
560  
200  
640  
200  
IR(AV)  
Max. Average reverse leakage  
200  
200 200 200  
current @ VRMM Tc 250C uA  
NAINA SEMICONDUCTOR LTD  
D95,SECTOR 63,NOIDA(INDIA)  
e-mail: sales@nainasemi.com, web site :www.nainasemi.com  
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