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3LP01SS

更新时间： 2024-02-21 21:13:50
品牌 Logo 应用领域
三洋 - SANYO 晶体开关晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 31K
描述
Ultrahigh-Speed Switching Applications

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3LP01SS 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Lifetime Buy
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.32
Samacsys Confidence：3Samacsys Status：Released
2D Presentation：https://componentsearchengine.com/2D/0T/410792.2.1.pngSchematic Symbol：https://componentsearchengine.com/symbol.php?partID=410792
PCB Footprint：https://componentsearchengine.com/footprint.php?partID=4107923D View：https://componentsearchengine.com/viewer/3D.php?partID=410792
Samacsys PartID：410792Samacsys Image：https://componentsearchengine.com/Images/9/3LP01S-TL-E.jpg
Samacsys Thumbnail Image：https://componentsearchengine.com/Thumbnails/2/3LP01S-TL-E.jpgSamacsys Pin Count：3
Samacsys Part Category：MOSFET (P-Channel)Samacsys Package Category：SOT23 (3-Pin)
Samacsys Footprint Name：3LP01S-TL-ESamacsys Released Date：2019-01-08 05:32:18
Is Samacsys：N配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.1 A
最大漏极电流 (ID)：0.1 A最大漏源导通电阻：10.4 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e6湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.15 W子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

3LP01SS 数据手册

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3LP01SS  
R
DS  
(on) -- I  
R (on) -- I  
DS D  
D
1000  
100  
V
= --1.5V  
V
= --2.5V  
GS  
GS  
7
7
5
5
3
2
3
2
25°C  
Ta=75°C  
--25°C  
100  
10  
7
5
7
5
25°C  
Ta=75°C  
3
2
3
2
--25°C  
1.0  
--0.01  
10  
--0.0001  
2
3
5
7
2
3
2
3
5
7
2
3
--0.1  
--0.001  
IT00081  
Drain Current, I -- A  
D
IT00082  
Drain Current, I -- A  
R
DS  
(on) -D- Ta  
yfs -- I  
D
1.0  
18  
16  
V
= --10V  
DS  
7
5
14  
12  
10  
8
3
2
25°C  
0.1  
7
5
6
3
2
4
2
0.01  
--0.01  
2
3
5
7
2
3
--60 --40 --20  
0
20  
40  
60  
80 100 120 140 160  
--0.1  
IT00083  
IT00084  
Ambient Temperature, Ta -- °C  
Drain Current, I -- A  
D
I
-- V  
SW Time -- I  
F
SD  
D
1000  
3
V
=0  
V
= --15V  
= --4V  
GS  
DD  
7
5
V
GS  
2
3
2
t
--0.1  
f
7
5
t (off)  
d
100  
7
5
t
3
2
r
3
2
t (on)  
d
--0.01  
--0.5  
10  
--0.01  
2
3
5
7
--0.6  
--0.7  
--0.8  
--0.9  
--1.0  
--1.1  
IT00085  
--0.1  
IT00086  
Diode Forward Voltage, V  
-- V  
Drain Current, I -- A  
SD  
D
Ciss, Coss, Crss -- V  
V
-- Qg  
GS  
DS  
--10  
100  
V
= --10V  
f=1MHz  
DS  
7
5
--9  
--8  
--7  
I = --0.1A  
D
3
2
--6  
--5  
--4  
--3  
--2  
10  
Ciss  
7
5
Coss  
3
2
Crss  
--1  
0
1.0  
0
--5  
--10  
--15  
--20  
--25  
--30  
IT00087  
0
0.2  
0.4  
0.6  
0.8  
1.0  
1.2  
1.4  
1.6  
Drain-to-Source Voltage, V  
-- V  
Total Gate Charge, Qg -- nC  
IT00088  
DS  
No.6648-3/4  
1234

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