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3KP170

更新时间： 2024-02-20 15:30:09
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鲁光 - LGE 二极管
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4页 1107K
描述
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3KP170 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：PLASTIC, R-6, 2 PIN针数：2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.50风险等级：5.34
其他特性：UL RECOGNIZED最大击穿电压：231 V
最小击穿电压：189 V外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码：O-PALF-W2
JESD-609代码：e0最大非重复峰值反向功率耗散：3000 W
元件数量：1端子数量：2
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性：BIDIRECTIONAL认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：170 V表面贴装：NO
技术：AVALANCHE端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

3KP170 数据手册

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3KP Series  
Reverse Voltage: 5.0 to 440 V  
Peak Pulse Power: 3000 W  
Axial Lead  
Transient Voltage Suppressors  
Features  
R-6/P600  
●
Glass passivated chip  
●
3000 W peak pulse power capability with a  
10/1000 μs waveform, repetitive rate (duty  
cycle):0.01 %  
DIA.  
1.000 [25.40]  
MIN  
0.052 1.32  
●
Low leakage  
0.048  
[ ]  
1.22  
●
Uni and Bidirectional unit  
●
Excellent clamping capability  
●
Very fast response time  
0.360 9.14  
0.340 8.64  
●
RoHS compliant  
[
]
Mechanical Data  
●
Case: Molded plastic  
DIA.  
0.360 9.14  
0.340 8.64  
●
Epoxy: UL 94V-0 rate flame retardant  
[
]
●
Lead: Solderable per MIL-STD-202, method  
208 guranteed  
1.000 [25.40]  
MIN  
●
Polarity: Color band denotes cathode end  
Dimensions :  
inch [ mm ]  
except Bipolar  
●
Mounting position: Any  
Maximum Ratings(TA=25℃ unless otherwise noted)  
Value  
Unit  
W
Parameter  
Symbol  
Peak power dissipation with a 10/1000μs waveform(1)  
PPP  
IPP  
PD  
3000  
See Next Table  
6.5  
Peak pulse current wih a 10/1000μs waveform(1)  
Power dissipation on infinite heatsink at TL = 75 °C  
Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave  
A
W
IFSM  
300  
A
unidirectional only(2)  
Maximum instantaneous forward voltage at 100 A for  
unidirectional only(3)  
VF  
3.5/5.0  
V
Operating junction and storage temperature range  
TJ, TSTG  
- 55 to +150  
°C  
Note:  
(1)Non-repetitive current pulse per Fig.5 and derated above TA= 25 °C per Fig.1  
(2)Measured on 8.3 ms single half sine-wave or equivalent square wave, duty cycle = 4 pulses per minute maximum  
(3)VF<3.5V for devices of VBR<200V and VF<5.0V for devices of VBR>201V  
http://www.lgesemi.com  
mail:lge@lgesemi.com  
Revision:20170701-P1  
1234

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