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3KP170

更新时间: 2024-09-28 12:50:07
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 瞬态抑制器二极管
页数 文件大小 规格书
2页 413K
描述
Unidirectional and bidirectional Transient Voltage Suppressor diodes

3KP170 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-PALF-W2
针数:2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.67最大击穿电压:231 V
最小击穿电压:189 V外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码:O-PALF-W2
最大非重复峰值反向功率耗散:3000 W元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-50 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:8 W
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:170 V
表面贴装:NO技术:AVALANCHE
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
Base Number Matches:1

3KP170 数据手册

 浏览型号3KP170的Datasheet PDF文件第2页 
3 KP 130 ... 3 KP 180CA  
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Dissipation: 3000 W  
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Stand-off  
voltage: 130 ... 180 V  
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1
23-10-2009 MAM  
© by SEMIKRON  

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