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3EZ36DTRE3

更新时间: 2024-02-03 03:01:16
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美高森美 - MICROSEMI 测试二极管
页数 文件大小 规格书
3页 184K
描述
Zener Diode, 36V V(Z), 20%, 3W,

3EZ36DTRE3 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.63
配置:SINGLE二极管类型:ZENER DIODE
最大动态阻抗:22 Ω元件数量:1
最高工作温度:150 °C最大功率耗散:3 W
标称参考电压:36 V子类别:Voltage Reference Diodes
表面贴装:NO最大电压容差:20%
工作测试电流:21 mABase Number Matches:1

3EZ36DTRE3 数据手册

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3EZ3.9D5 thru 3EZ200D5, e3  
Silicon 3 Watt Zener Diode  
S C O T T S D A L E D I V I S I O N  
3EZ  
110  
D
5
TOLERANCE  
3 WATT  
MOLDED  
ZENER  
DIODE  
DEVICE  
NOMINAL  
ZENER  
VOLTAGE  
GRAPHS  
TL  
TA on FR4 PC  
board  
PACKAGE DIMENSIONS  
TL, Lead temperature (oC) at 3/8” from body  
or TA on FR4 PC Board  
FIGURE 1  
POWER DERATING CURVE  
Copyright © 2006  
6-20-2006 REV B  
Microsemi  
Page 3  
Scottsdale Division  
8700 E. Thomas Rd. PO Box 1390, Scottsdale, AZ 85252 USA, (480) 941-6300, Fax: (480) 947-1503  

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