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3EZ30

更新时间： 2024-01-25 06:16:34
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 二极管齐纳二极管测试IOT
页数 文件大小 规格书
1页 47K
描述
Zener silicon diodes

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3EZ30 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DO-41包装说明：O-PALF-W2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
风险等级：5.79外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：ZENER DIODE最大动态阻抗：16 Ω
JEDEC-95代码：DO-204ALJESD-30 代码：O-PALF-W2
JESD-609代码：e0膝阻抗最大值：1000 Ω
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-65 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性：UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：1.25 W认证状态：Not Qualified
标称参考电压：30 V最大反向电流：0.5 µA
子类别：Voltage Reference Diodes表面贴装：NO
技术：ZENER端子面层：TIN LEAD
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED最大电压容差：20%
工作测试电流：25 mABase Number Matches：1

3EZ30 数据手册

  
3EZ 1...3EZ 200(3W)  
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Dissipation: 3 W  
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1
02-04-2004 SCT  
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