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3EZ30

更新时间： 2024-02-23 23:39:02
品牌 Logo 应用领域
德欧泰克 - DIOTEC 二极管齐纳二极管测试IOT
页数 文件大小 规格书
2页 114K
描述
Silicon-Power-Z-Diodes (non-planar technology)

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3EZ30 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DO-41包装说明：O-PALF-W2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
风险等级：5.79外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：ZENER DIODE最大动态阻抗：16 Ω
JEDEC-95代码：DO-204ALJESD-30 代码：O-PALF-W2
JESD-609代码：e0膝阻抗最大值：1000 Ω
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-65 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性：UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：1.25 W认证状态：Not Qualified
标称参考电压：30 V最大反向电流：0.5 µA
子类别：Voltage Reference Diodes表面贴装：NO
技术：ZENER端子面层：TIN LEAD
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED最大电压容差：20%
工作测试电流：25 mABase Number Matches：1

3EZ30 数据手册

 浏览型号3EZ30的Datasheet PDF文件第2页 
3EZ 1 … 3EZ 200 (3 W)  
Silicon-Power-Z-Diodes  
(non-planar technology)  
Silizium-Leistungs-Z-Dioden  
(flächendiffundierte Dioden)  
Maximum power dissipation  
Maximale Verlustleistung  
3 W  
Nominal Z-voltage – Nominale Z-Spannung  
1…200 V  
Plastic case  
DO-15  
Kunststoffgehäuse  
DO-204AC  
Weight approx. – Gewicht ca.  
0.4 g  
Plastic material has UL classification 94V-0  
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert  
Standard packaging taped in ammo pack  
see page 16  
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack  
siehe Seite 16  
Dimensions / Maße in mm  
Standard Zener voltage tolerance is graded to the international E 24 (~5%) standard.  
Other voltage tolerances and higher Zener voltages on request.  
Die Toleranz der Zener-Spannung ist in der Standard-Ausführung gestuft nach der  
internationalen Reihe E 24 (~5%). Andere Toleranzen oder höhere Arbeitsspannungen auf  
Anfrage.  
Maximum ratings and Characteristics  
Grenz- und Kennwerte  
Power dissipation – Verlustleistung  
TA = 25ꢀC  
TA = 25ꢀC  
Ptot  
3.0 W 1)  
60 W  
Non repetitive peak power dissipation, t < 10 ms  
Einmalige Impuls-Verlustleistung, t < 10 ms  
PZSM  
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur  
Storage temperature – Lagerungstemperatur  
Tj  
– 50…+150ꢀC  
TS – 50…+175ꢀC  
Thermal resistance junction to ambient air  
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft  
RthA  
RthL  
< 40 K/W 1)  
< 15 K/W  
Thermal resistance junction to lead  
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlußdraht  
Zener voltages see table on next page – Zener-Spannungen siehe Tabelle auf der nächsten Seite  
1
)
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case  
Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden  
Tested with pulses – Gemessen mit Impulsen  
The 3EZ 1is a diode, operated in forward. The cathode, indicated by a ring, is to be connected to the negative pole.  
Die 3EZ 1 ist eine in Durchlaß betriebene Einzelchip-Diode.  
2
3
)
)
Die durch den Ring gekennzeichnete Kathode ist mit dem Minuspol zu verbinden.  
216  
28.02.2002  
12

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