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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | DIP | 包装说明： | PLASTIC, DIP-8 |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.84 | 其他特性： | DATA RETENTION >200 YEARS |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 2.5 MHz | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PDIP-T8 | JESD-609代码： | e3 |
| 长度： | 10.033 mm | 内存密度： | 131072 bit |
| 内存集成电路类型： | OTP ROM | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 8 | 字数： | 4096 words |
| 字数代码： | 4000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 4KX32 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP8,.3 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | SERIAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 3.3/5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 4.064 mm |
| 最大待机电流： | 0.00005 A | 子类别： | Other Memory ICs |
| 最大压摆率： | 0.01 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 7.62 mm |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 37LV128I/SN | MICROCHIP | 36K, 64K, and 128K Serial EPROM Family |
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| 37LV128-I/SN | MICROCHIP | 4K X 32 OTPROM, PDSO8, 0.150 INCH, PLASTIC, SOIC-8 |
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| 37LV128-IL | MICROCHIP | 36K, 64K, and 128K Serial EPROM Family |
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| 37LV128-IP | MICROCHIP | 36K, 64K, and 128K Serial EPROM Family |
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| 37LV128-ISN | MICROCHIP | 36K, 64K, and 128K Serial EPROM Family |
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| 37LV128IT/L | MICROCHIP | 36K, 64K, and 128K Serial EPROM Family |
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