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358RLE10

更新时间: 2024-01-30 02:12:34
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NIEC 栅极
页数 文件大小 规格书
3页 292K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 550000mA I(T), 100V V(DRM)

358RLE10 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.30.00.80风险等级:5.72
标称电路换相断开时间:15 µs关态电压最小值的临界上升速率:100 V/us
最大直流栅极触发电流:200 mA最大直流栅极触发电压:3 V
JESD-30 代码:O-MUPM-H3最大漏电流:40 mA
通态非重复峰值电流:7000 A端子数量:3
最大通态电流:550000 A最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-45 °C封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:POST/STUD MOUNT
认证状态:Not Qualified断态重复峰值电压:100 V
子类别:Silicon Controlled Rectifiers表面贴装:NO
端子形式:HIGH CURRENT CABLE端子位置:UPPER
触发设备类型:SCRBase Number Matches:1

358RLE10 数据手册

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