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31DQ09

更新时间： 2024-01-01 02:46:42
品牌 Logo 应用领域
NIEC 整流二极管
页数 文件大小 规格书
6页 55K
描述
Low Forward Voltage drop Diode

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31DQ09 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：DO-201
包装说明：O-PALF-W2针数：2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.51
其他特性：FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY应用：GENERAL PURPOSE
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：DO-201JESD-30 代码：O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流：210 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-40 °C
最大输出电流：3.3 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：90 V表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

31DQ09 数据手册

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SBD Type : 31DQ09  
OUTLINE DRAWING  
FEATURES  
* Low Forward Voltage Drop  
* Low Power Loss, High Efficiency  
* High Surge Capability  
* 30volts trough 100volts Types Available  
Maximum Ratings  
Approx Net Weight:1.18g  
Symbol  
VRRM  
31DQ09  
90  
Unit  
V
Rating  
Repetitive Peak Reverse Voltage  
Without Fin or  
Average Rectified  
P.C.Board  
1.7 Ta=33°C  
IO  
Half Sine Wave Resistive Load  
A
Output Current  
With Fin *1  
3.0 Ta=62°C  
RMS Forward Current  
Surge Forward Current  
Operating JunctionTemperature Range  
Storage Temperature Range  
IF(RMS)  
IFSM  
Tjw  
4.71  
A
A
°C  
°C  
100 Half Sine Wave,1cycle,Non-repetitive  
- 40 to + 150  
Tstg  
- 40 to + 150  
Electrical • Thermal Characteristics  
Symbol  
Conditions  
Min Typ Max  
Unit  
Characteristics  
Peak Reverse Current  
Peak Forward Voltage  
IRM  
VFM  
-
-
-
-
1
0.85  
80  
mA  
V
Tj= 25°C, VRM= VRRM  
Tj= 25°C, IFM= 3 A  
Without Fin or P.C.Board  
With Fin *1  
Thermal Resistance(Junction to Ambient) Rth(j-a)  
*1 :20x20x1t(mm) Copper plates, L=5mm, Both Sides  
-
-
°C/W  
34  
123456

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