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30S2

更新时间: 2024-01-11 04:32:43
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 整流二极管
页数 文件大小 规格书
2页 86K
描述
3 AMP MEDIUM POWER SILICON RECTIFIER DIODES

30S2 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
包装说明:T-18, 2 PIN针数:2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.84
应用:MEDIUM POWER外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:O-PALF-W2
JESD-609代码:e3最大非重复峰值正向电流:80 A
元件数量:1相数:1
端子数量:2最大输出电流:3 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:200 V
表面贴装:NO端子面层:MATTE TIN
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

30S2 数据手册

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