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30KPA170E3

更新时间: 2023-01-02 21:26:14
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
9页 508K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 30000W, 170V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon,

30KPA170E3 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred包装说明:O-PALF-W2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.68
最大击穿电压:208.9 V最小击穿电压:189.9 V
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码:O-PALF-W2JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1最大非重复峰值反向功率耗散:30000 W
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:8 W
参考标准:IEC-61000-4-2, 4-4, 4-5最大重复峰值反向电压:170 V
表面贴装:NO技术:AVALANCHE
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED

30KPA170E3 数据手册

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