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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> 30CTQ080GPBF
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30CTQ080GPBF

更新时间： 2024-09-30 07:40:23
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 整流二极管局域网
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7页 159K
描述
Schottky Rectifier, 2 x 15 A

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30CTQ080GPBF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.49
Is Samacsys：N其他特性：FREE WHEELING DIODE
应用：GENERAL PURPOSE外壳连接：CATHODE
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：650 A元件数量：2
相数：1端子数量：3
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：30 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：80 V表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子面层：MATTE TIN
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：40Base Number Matches：1

30CTQ080GPBF 数据手册

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VS-30CTQ...GPbF Series, VS-30CTQ...G-N3 Series  
www.vishay.com  
Vishay Semiconductors  
Schottky Rectifier, 2 x 15 A  
FEATURES  
Base  
common  
cathode  
2
• 175 °C TJ operation  
• Low forward voltage drop  
• High frequency operation  
• High  
purity,  
high  
temperature  
epoxy  
encapsulation for enhanced mechanical strength  
and moisture resistance  
Anode  
Anode  
2
Common  
cathode  
1
3
TO-220AB  
• Guard ring for enhanced ruggedness and long  
term reliability  
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
PRODUCT SUMMARY  
• Designed and qualified according to JEDEC-JESD47  
Package  
TO-220AB  
2 x 15 A  
• Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition  
(-N3 only)  
IF(AV)  
VR  
80 V, 100 V  
0.69 V  
DESCRIPTION  
VF at IF  
This center tap Schottky rectifier series has been optimized  
for low reverse leakage at high temperature. The proprietary  
barrier technology allows for reliable operation up to 175 °C  
junction temperature. Typical applications are in switching  
power supplies, converters, freewheeling diodes, and  
reverse battery protection.  
I
RM max.  
7.0 mA at 125 °C  
175 °C  
TJ max.  
Diode variation  
EAS  
Common cathode  
7.50 mJ  
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
CHARACTERISTICS  
VALUES  
30  
UNITS  
Rectangular waveform  
A
V
100  
tp = 5 μs sine  
650  
A
VF  
15 Apk, TJ = 125 °C (per leg)  
Range  
0.69  
V
TJ  
- 55 to 175  
°C  
VOLTAGE RATINGS  
VS-  
VS-  
VS-  
VS-  
PARAMETER  
SYMBOL  
UNITS  
30CTQ080GPbF 30CTQ080G-N3 30CTQ100GPbF 30CTQ100G-N3  
Maximum DC reverse voltage  
VR  
80  
80  
100  
100  
V
Maximum working peak reverse voltage  
VRWM  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
VALUES UNITS  
Maximum average  
forward current  
See fig. 5  
per device  
per leg  
30  
IF(AV)  
50 % duty cycle at TC = 129 °C, rectangular waveform  
15  
A
Maximum peak one cycle  
non-repetitive surge current per leg  
See fig. 7  
5 µs sine or 3 µs rect. pulse  
10 ms sine or 6 ms rect. pulse  
650  
Following any rated load  
condition and with rated  
IFSM  
VRRM applied  
210  
Non-repetitive avalanche energy per leg  
Repetitive avalanche current per leg  
EAS  
IAR  
TJ = 25 °C, IAS = 0.50 A, L = 60 mH  
7.50  
0.50  
mJ  
A
Current decaying linearly to zero in 1 μs  
Frequency limited by TJ maximum VA = 1.5 x VR typical  
Revision: 26-Aug-11  
Document Number: 94194  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
30CTQ080GS VISHAY

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