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307UR250

更新时间： 2024-01-06 15:46:10

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THINKISEMI		高压大电源高功率电源二极管
页数	文件大小	规格书
7页	2015K
描述
ThinkiSemi 330A,1600V Rotating Rectifier Stud Type Standard Recovery Diode

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技术参数
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307UR250 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	O-CUPM-H1
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.7
其他特性：	HIGH SURGE CAPABILITY	应用：	HIGH VOLTAGE HIGH POWER
外壳连接：	ANODE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：	DO-205AB	JESD-30 代码：	O-CUPM-H1
最大非重复峰值正向电流：	6335 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	1
最高工作温度：	180 °C	最低工作温度：	-40 °C
最大输出电流：	300 A	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	ROUND	封装形式：	POST/STUD MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	2500 V	表面贴装：	NO
端子形式：	HIGH CURRENT CABLE	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	Base Number Matches：	1

307UR250 数据手册

307U160/307UR160

550

180°

500

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400

350

300

250

200

150

100

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90°

60°

30°

RMS Lim it

Conduction Period

307U(R) Series

(800V to 2000V)

T = 180°C

100 200 300 400 500 62000 40 60 80 100 120 140 160 180

Average Forward Current (A) Maximum Allowable Ambient Temperature (°C)

Fig. 6 - Forward Power Loss Characteristics

450

180°

120°

90°

60°

30°

400

350

300

250

200

150

100

RMSLimit

Conduction Angle

307U(R) Series (2500V)

T = 180°C

100 150 200 250 32000 40 60 80 100 120 140 160 180

Average Forward Current (A)

Maximum Allowable Ambient Temperature (°C)

Fig. 7 - Forward Power Loss Characteristics

600

500

400

300

200

100

180°

120°

90°

60°

30°

RMSLim it

Conduction Period

307U(R) Series (2500V)

T = 180°C

100

200

300

400

52000 40 60 80 100 120 140 160 180

Maximum Allowable Ambient Temperature (°C)

Average Forward Current (A)

Fig. 8 - Forward Power Loss Characteristics

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http://www.thinkisemi.com.tw/

Rev.12T

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