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307UR160

更新时间: 2024-02-28 14:51:01
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THINKISEMI 高压大电源高功率电源二极管
页数 文件大小 规格书
7页 2015K
描述
ThinkiSemi 330A,1600V Rotating Rectifier Stud Type Standard Recovery Diode

307UR160 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
包装说明:O-CUPM-H1Reach Compliance Code:compliant
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.71
其他特性:HIGH SURGE CAPABILITY应用:HIGH VOLTAGE HIGH POWER
外壳连接:ANODE配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码:DO-205ABJESD-30 代码:O-CUPM-H1
最大非重复峰值正向电流:8640 A元件数量:1
相数:1端子数量:1
最大输出电流:330 A封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:ROUND封装形式:POST/STUD MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):260认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:1600 V表面贴装:NO
端子形式:HIGH CURRENT CABLE端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:40Base Number Matches:1

307UR160 数据手册

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307U160/307UR160  
307U160/307UR160  
Pb Free Plating Product  
ThinkiSemi 330A,1600V Rotating Rectifier Stud Type Standard Recovery Diode  
Features  
Wide current range  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
I2t  
330A  
1600V  
High voltage ratings up to 2500V  
High surge current capabilities  
8.25 KA  
64 KA2S  
Stud cathode and stud anode version  
TypicalApplications  
Converters  
Power supplies  
Machine tool controls  
High power drives  
CERAMIC HOUSING  
19 (0.75) MAX.  
Medium traction applications  
Major Ratings and Characteristics  
DIA. 8.5 (0.33  
307U80/307U120/307U160/307U200/307U250  
307UR80/307UR120/307UR160/307UR200/307UR250  
Parameters  
Units  
80 to 200  
250  
IF(AV)  
330  
300  
A
°C  
A
@ TC  
120  
120  
IF(RMS)  
IFSM  
520  
470  
@ 50Hz  
@ 60Hz  
@ 50Hz  
@ 60Hz  
8250  
6050  
6335  
183  
A
8640  
A
I2t  
340  
KA2s  
KA2s  
V
3/4"-16UNF-2A  
311  
167  
VRRM range  
TJ  
800 to 2000  
- 40 to 180  
2500  
- 40 to 180  
°C  
All dimensions in millimeters (inches)  
Page 1/7  
http://www.thinkisemi.com.tw/  
Rev.12T  
© 1995 Thinki Semiconductor Co., Ltd.  

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