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3.0SMCJ10-LFR

更新时间： 2024-01-13 12:58:14

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描述
3000W SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR

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3.0SMCJ10-LFR 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	SMC-F, 2 PIN
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.31
其他特性：	EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY	最大击穿电压：	12.3 V
最小击穿电压：	11.1 V	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码：	DO-214AB	JESD-30 代码：	R-PDSO-C2
最大非重复峰值反向功率耗散：	3000 W	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	6.5 W
最大重复峰值反向电压：	10 V	表面贴装：	YES
技术：	AVALANCHE	端子形式：	C BEND
端子位置：	DUAL

3.0SMCJ10-LFR 数据手册

RATINGS AND CHARACTERISTIC CURVES 3.0SMCJ5.0-LFR THRU

3.0SMCJ170A-LFR

FIG. 2 - PULSE DERATING CURVE

FIG. 1 - PEAK PULSE POWER RATING CURVE

100

NON-REPETITIVE

PULSE WAVEFORM

SHOWN in FIG. 3

1.0

0.1

T_A=25℃

0.1_US

1.0_US

10_US

100_US

1.0_MS

10_MS

100 125

150 175 200

td, PULSE WIDTH, sec.

T_A,AMBIENT TEMPERATURE,℃

FIG. 3 - PULSE WAVEFORM

10 / 1000 μ A

FIG. 4 - TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE

150

100

100,000

10,000

PULSE WIDTH ?(td) is DEFINED

as the POINT WHERE the PEAK

CURRENT DECAYS to 50% of Ipp

tr=10usec.

T_J=25℃

f=1 MH_Z

Vsig=50mVp-p

PEAK VALUE

Ippm

MEASURED at

ZERO BIAS

Ipp

HALF VALUE

10/1000usec. WAVEFORM

as DEFINED by R.E.A.

MEASURED at

STAND-OFF

VOLTAGE, V_WM

1,000

100

1.0

2.0

t, TIME, ms

3.0

4.0

Unidirectional - - - - - -

Bidirectional

______

5.0

100

200 500

FIG.5 – PULSE WAVEFORM

V_(BR),BREAKDOWN VOLTAGE, VOLTS

8 / 20μ s

FIG.6 - MAXIMUM NON-REPETITIVE FORWARD

SURGE CURRENT

TEST WAVEFORM

PARAMETERS

t r

tr = 8μ sec

100

250

100

td = 20μ sec

Peak Value - Ipp

Ipp

_____

Half Value –

@ td

100

t – Time - usec

NUMBER OF CYCLES AT 60H_Z

3.0SMCJ5.0-LFR THRU 3.0SMCJ170A-LFR

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
3.0SMCJ10-T3	SENSITRON	Trans Voltage Suppressor Diode, 3000W, 10V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-	获取价格
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