2W02M

更新时间： 2024-02-23 01:29:21

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虹扬 - HY		二极管
页数	文件大小	规格书
2页	99K
描述
SILICON BRIDGE RECTIFIERS

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2W02M 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	O-PBCY-W4
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.6	配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	O-PBCY-W4	最大非重复峰值正向电流：	50 A
元件数量：	4	相数：	1
端子数量：	4	最大输出电流：	2 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	Base Number Matches：	1

2W02M 数据手册

RATING AND CHARACTERISTIC CURVES

2WO/2WOM SERIES

FIG.1-DERATING CURVE FOR

OUTPUT RECTIFIED CURRENT

FIG.2-MAXIMUM NON-REPETITIVE PEAK

FORWARD SURGE CURRENT

2.0

SINGLE SINE-WAVE

JEDEC METHOD

100

150

NUMBER OF CYCLES AT 60Hz

AMBIENT TEMPERATURE ,℃

FIG.3-TYPICAL FORWARD

CHARACTERISTICS

FIG.3-TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICS

1.0

0.1

0.01

10.0

TJ=25℃

TYPICAL

DISTRIBUTION

TJ=100℃

1.0

0.1

TJ=25℃

120

140

100

0.01

0.4

0.6

1.0

0.8

1.2

1.4

PERCENT OF RATED PEAK REVERSE VOLTAGE

INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE. VOLTS

FIG.5-TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE PER BRIDGE ELEMENT

100

6.0

4.0

TJ=25℃,

f=1MHZ

2.0

1.0

Vsig=50m p-p

100

0.1

0.2

0.4

1.0

2.0

4.0

REVERSE VOLTAGE,VOLTS

~ 313 ~

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