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2SK1412LS

更新时间： 2024-02-27 10:02:15

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三洋 - SANYO		开关
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4页	37K
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Ultrahigh-Speed Switching Applications

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2SK1412LS 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220FI
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.84
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	1500 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.1 A
最大漏极电流 (ID)：	0.1 A	最大漏源导通电阻：	200 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
功耗环境最大值：	20 W	最大功率耗散 (Abs)：	20 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	0.2 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SK1412LS 数据手册

2SK1412LS

fs -- I

R (on) -- V

DS GS

320

280

240

200

160

120

=20V

I =50mA

Tc=25°C

100

ITR01048

ITR01049

Drain Current, I -- mA

Gate-to-Source Voltage, V

-- V

SW Time -- I

(on) -- Tc

320

280

240

200

160

120

=10V

=200V

P.W.=2µs

D.C.≤0.5%

=10V

I =50mA

1000

100

t (off)

t (on)

--40

--20

100

120

140

100

ITR01051

Case Temperature, Tc -- °C

ITR01050

Drain Current, I -- mA

Ciss, Coss, Crss -- V

A S O

f=1MHz

10µs

=200mA

100

I =100mA

Ciss

100

Operation in this area

is limited by R (on).

1.0

Tc=25°C

Single pulse

1.0

100

1000

Drain-to-Source Voltage, V

-- V ITR01053

ITR01052

Drain-to-Source Voltage, V

-- V

-- Ta

-- Tc

2.4

2.0

1.6

1.2

0.8

0.4

100

120

140

160

100

120

140

160

ITR01054

ITR01055

Ambient Temperature, Ta -- °C

Case Temperature, Tc -- °C

No.4228-3/4

1 234

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