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2SK1406

更新时间： 2024-02-13 00:51:07
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描述

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2SK1406 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.92外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：20 A最大漏极电流 (ID)：20 A
最大漏源导通电阻：0.4 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：3 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：40 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2SK1406 数据手册

 浏览型号2SK1406的Datasheet PDF文件第2页 
Power F-MOS FETs  
2SK1406  
Silicon N-Channel Power F-MOS FET  
■ Features  
unit: mm  
● Low ON-resistance RDS(on): RDS(on) = 0.32Ω (typ.)  
● High-speed switching: tf = 140ns (typ.)  
● No secondary breakdown  
15.0±0.3  
11.0±0.2  
5.0±0.2  
3.2  
● High breakdown voltage, large allowable power dissipation  
φ3.2±0.1  
■ Applications  
● Contactless relay  
● Diving circuit for a solenoid  
● Driving circuit for a motor  
● Control equipment  
2.0±0.2  
2.0±0.1  
0.6±0.2  
1.1±0.1  
● Switching power supply  
5.45±0.3  
10.9±0.5  
2
■ Absolute Maximum Ratings (TC = 25°C)  
1
3
1: Gate  
2: Drain  
3: Source  
Parameter  
Symbol  
Ratings  
Unit  
V
Drain to Source breakdown voltage VDSS  
500  
±20  
TOP-3 Full Pack Package (a)  
Gate to Source voltage  
VGSS  
ID  
V
DC  
±20  
A
Drain current  
Pulse  
IDP  
±40  
A
Allowable power  
dissipation  
TC = 25°C  
Ta = 25°C  
100  
PD  
W
3
Channel temperature  
Storage temperature  
Tch  
150  
°C  
°C  
Tstg  
−55 to +150  
■ Electrical Characteristics (TC = 25°C)  
Parameter  
Symbol  
IDSS  
Conditions  
VDS = 400V, VGS = 0  
VGS = ±20V, VDS = 0  
min  
typ  
max  
0.1  
Unit  
mA  
µA  
V
Drain to Source cut-off current  
Gate to Source leakage current  
IGSS  
±1  
Drain to Source breakdown voltage VDSS  
ID = 1mA, VGS = 0  
500  
1
Gate threshold voltage  
Vth  
VDS = 25V, ID = 1mA  
VGS = 10V, ID = 10A  
5
0.4  
9
V
Drain to Source ON-resistance  
Drain to Source ON-voltage  
Forward transfer admittance  
RDS(on)  
VDS(on)  
| Yfs |  
0.32  
Ω
VGS = 10V, ID = 20A  
V
VDS = 25V, ID = 10A  
7.2  
12  
3000  
430  
175  
150  
140  
480  
S
Input capacitance (Common Source) Ciss  
Output capacitance (Common Source) Coss  
Reverse transfer capacitance (Common Source) Crss  
pF  
pF  
pF  
ns  
VDS = 20V, VGS = 0, f = 1MHz  
Turn-on time  
ton  
VGS = 10V, ID = 10A  
Fall time  
tf  
ns  
VDS = 150V, RL = 15Ω  
Turn-off time (delay time)  
td(off)  
ns  
1
12

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