2SJ541

更新时间： 2024-02-24 00:54:57

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日立 - HITACHI		晶体开关晶体管功率场效应晶体管电源开关局域网
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9页	55K
描述
Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching

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2SJ541 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Not Recommended	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.2	Is Samacsys：	N
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	15 A
最大漏极电流 (ID)：	15 A	最大漏源导通电阻：	0.155 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e2
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	50 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	60 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN COPPER
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SJ541 数据手册

2SJ541

Maximum Avalanche Energy vs.

Channel Temperature Derating

Reverse Drain Current vs.

Source to Drain Voltage

–20

–16

–12

–8

= –15 A

= –25 V

duty < 0.1 %

Ω

Rg > 50

–10 V

–5 V

= 0, 5 V

–4

Pulse Test

–0.4 –0.8 –1.2

–1.6

–2.0

(V)

100

125

150

Channel Temperature Tch (°C)

Source to Drain Voltage

Avalanche Test Circuit

Avalanche Waveform

DSS

– V

• L • I

•

DSS

Monitor

(BR)DSS

D. U. T

Vin

–15 V

50Ω

1...3 4 567 8 9

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