2SJ541

更新时间： 2024-01-15 14:15:48

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日立 - HITACHI		晶体开关晶体管功率场效应晶体管电源开关局域网
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Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching

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2SJ541 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Not Recommended	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.2	Is Samacsys：	N
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	15 A
最大漏极电流 (ID)：	15 A	最大漏源导通电阻：	0.155 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e2
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	50 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	60 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN COPPER
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SJ541 数据手册

2SJ541

Typical Capacitance vs.

Drain to Source Voltage

Body–Drain Diode Reverse

Recovery Time

10000

500

= 0

f = 1 MHz

3000

1000

200

100

Ciss

300

100

Coss

Crss

di / dt = 50 A / µs

= 0, Ta = 25 °C

–1

Reverse Drain Current

–10

–20

–30

–40

–50

(V)

–0.1

–0.3

–3

–10 –20

(A)

Drain to Source Voltage

Dynamic Input Characteristics

Switching Characteristics

= –10 V, V = –30 V

–20

–40

–60

1000

500

= –10 V

–25 V

PW = 5 µs, duty < 1 %

–50 V

–4

–8

–12

200

100

d(off)

= –50 V

–25 V

–10 V

–80

–16

–20

d(on)

= –15 A

–100

–0.2 –0.5

–0.1

–1 –2

–5 –10 –20

(A)

Gate Charge Qg (nc)

Drain Current

1 2 3 456 7 8 9

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