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2SJ527S-E

更新时间： 2024-02-16 17:47:36

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瑞萨 - RENESAS		ISM频段开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
14页	76K
描述
5A, 60V, 0.8ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, DPAK-3

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技术参数
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2SJ527S-E 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.16
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	5 A
最大漏源导通电阻：	0.8 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e6
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	245
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	20 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN BISMUTH	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	20
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SJ527S-E 数据手册

2SJ527(L),2SJ527(S)

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Item

Symbol

V_DSS

Ratings

Unit

Drain to source voltage

Gate to source voltage

Drain current

–60

V_GSS

I_D

±20

–5

Note1

Drain peak current

I_D(pulse)

–20

Body-drain diode reverse drain current I_DR

–5

Note3

Avalenche current

Avalenche energy

Channel dissipation

Channel temperature

Storage temperature

I_AP

–5

E_AR

2.1

°C

Pch^Note2

Tch

150

Tstg

–55 to +150

Note: 1. PW ≤ 10µs, duty cycle ≤ 1 %

2. Value at Tc = 25°C

3. Value at Tch = 25°C, Rg ≥ 50 Ω

1 2 345 6 7...14

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与2SJ527S-E相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SJ527STL-E	RENESAS	Silicon P Channel MOS FET	获取价格
2SJ527STR-E	RENESAS	Pch Single Power MOSFET -60V -5A 400mohm DPAK(S)/TO-252	获取价格
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