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2SJ389L

更新时间： 2024-01-21 23:33:48

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HITACHI-METALS		晶体晶体管场效应晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	46K
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Silicon P Channel MOS FET

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2SJ389L 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.46	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	10 A	最大漏源导通电阻：	0.2 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	40 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON

2SJ389L 数据手册

2SJ389 L , 2SJ389 S

Typical Capacitance vs.

Drain to Source Voltage

Body–Drain Diode Reverse

Recovery Time

10000

1000

500

3000

1000

Ciss

Coss

Crss

200

100

300

100

300

100

= 0

di / dt = 50 A / µs

f = 1 MHz

= 0, Ta = 25 °C

–10

–20

–30

-40

–50

(V)

–0.1 –0.3

–1 –3

–10 –30 –100

Reverse Drain Current

(A)

Drain to Source Voltage V

Switching Characteristics

= –10 V, V = –30 V

Dynamic Input Characteristics

1000

500

–20

–40

–60

–80

= –10 V

–25 V

PW = 5 µs, duty < 1 %

–50 V

–4

–8

–12

d(off)

200

= –10 A

100

= –50 V

–25 V

–10 V

–16

–20

d(on)

–100

–0.1 –0.2 –0.5 –1 –2

Drain Current

–5 –10

(A)

100

Gate Charge Qg (nc)

1 2 3 456 7

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