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2SJ221

更新时间： 2024-02-12 21:16:27

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日立 - HITACHI		/
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8页	51K
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Silicon P-Channel MOS FET

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2SJ221 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.36
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	20 A
最大漏极电流 (ID)：	20 A	最大漏源导通电阻：	0.22 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e2
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	75 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	80 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN COPPER
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SJ221 数据手册

2SJ221

Drain to Source Saturation Voltage

vs. Gate to Source Voltage

Static Drain to Source on State

Resistance vs. Drain Current

–10

–8

–6

–4

–2

Pulse Test

0.3

0.1

V_GS= –4 V

–10 V

–20 A

0.03

–10 A

0.01

I_D= –5 A

0.005

–0.1 –0.3

–1

–3

–10 –30 –100

–4

–8

–12

–16

–20

Drain Current I_D(A)

Gate to Source Voltage V_GS(V)

Static Drain to Source on State

Resistance vs. Case Temperature

Forward Transfer Admittance

vs. Drain Current

1.0

100

V_DS= –10 V

Pulse Test

–25°C

75°C

0.8

0.6

0.4

0.2

Pulse Test

T_C= 25°C

I_D= –20 A

–5, –10 A

V_GS= –4 V

0.3

0.5

–20 A

V_GS= –10 V –5, –10 A

–40

120

160

–0.1 –0.3

–1

–3

–10 –30 –100

Case Temperature T_C(°C)

Drain Current I_D(A)

1 2 345 6 7 8

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