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2SJ221

更新时间： 2024-02-08 22:52:25

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日立 - HITACHI		/
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8页	51K
描述
Silicon P-Channel MOS FET

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2SJ221 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.36
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	20 A
最大漏极电流 (ID)：	20 A	最大漏源导通电阻：	0.22 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e2
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	75 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	80 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN COPPER
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SJ221 数据手册

2SJ221

Maximum Safe Operation Area

Power vs. Temperature Derating

–100

120

–30

–10

–3

–1

Ta = 25°C

Operation in this Area

is Limited by R_{DS (on)}

–0.3

–0.1

–1

–3

–10 –30 –100 –300 –1,000

100

150

Drain to Source Voltage V_DS(V)

Case Temperature T_C(°C)

Typical Output Characteristics

–6 V

Typical Transfer Characteristics

–50

–20

–16

–12

–8

–10 V

–8 V

V_DS= –10 V

Pulse Test

–40

–30

–20

–10

–5 V

Pulse Test

–4 V

75°C

V_GS= –3 V

–4

T_C= 25°C

–25°C

–4

–8

–12

–16

–20

–1

–2

–3

–4

–5

Drain to Source Voltage V_DS(V)

Gate to Source Voltage V_GS(V)

1 234 5 6 7 8

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SJ221-E	RENESAS	Silicon P Channel MOS FET	获取价格
2SJ222	RENESAS	Silicon P Channel MOS FET	获取价格
2SJ222	HITACHI	Silicon P-Channel MOS FET	获取价格
2SJ222-E	RENESAS	Silicon P Channel MOS FET	获取价格
2SJ223L	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 2A I(D) \| TO-251VAR	获取价格
2SJ223S	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 2A I(D) \| TO-252VAR	获取价格