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Datasheet > 晶体管 > 其他晶体管> 2SJ201-O(Q)

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2SJ201-O(Q)

更新时间： 2024-02-27 01:51:55

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		放大器功率放大器高功率电源
页数	文件大小	规格书
3页	181K
描述
TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,200V V(BR)DSS,12A I(D),TO-247VAR

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2SJ201-O(Q) 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.61	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	12 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	150 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
Base Number Matches：	1

2SJ201-O(Q) 数据手册

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与2SJ201-O(Q)相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SJ201Y	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 200V V(BR)DSS \| 12A I(D) \| TO-247VAR	获取价格
2SJ201-Y	TOSHIBA	High-Power Amplifier Application	获取价格
2SJ201-Y(F)	TOSHIBA	MOSFETs MOSFET P-Ch 200V 12A Rdson 0.625 Ohm	获取价格
2SJ201-Y(Q)	TOSHIBA	TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,200V V(BR)DSS,12A I(D),TO-247VAR	获取价格
2SJ202	NEC	P-CHANNEL MOS FET FOR SWITCHING	获取价格
2SJ202-A	RENESAS	100mA, 16V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, SUPER MINIMOLD, SC-70, 3 PIN	获取价格

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