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2SD780DW4-A

更新时间: 2024-09-30 13:37:51
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 放大器ISM频段光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 57K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC, MINIMOLD PACKAGE-3

2SD780DW4-A 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Transferred
包装说明:PLASTIC, MINIMOLD PACKAGE-3Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.58Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):0.3 A集电极-发射极最大电压:60 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):200
JESD-30 代码:R-PDSO-G3JESD-609代码:e3/e6
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子面层:MATTE TIN/TIN BISMUTH端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:10
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):140 MHzVCEsat-Max:0.6 V
Base Number Matches:1

2SD780DW4-A 数据手册

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