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2SD669AL-B-TN3-R

更新时间： 2024-02-23 04:02:30

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友顺 - UTC		晶体晶体管
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2页	90K
描述
BIPOLAR POWER GENERAL PURPOSE TRANSISTOR

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2SD669AL-B-TN3-R 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-252	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.57
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	1.5 A
集电极-发射极最大电压：	160 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	60	JEDEC-95代码：	TO-252
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	140 MHz	Base Number Matches：	1

2SD669AL-B-TN3-R 数据手册

Transys

Electronics

I M I T E D

TO-126C Plastic-Encapsulated Transistors

2SD669 TRANSISTOR (NPN)

TO-126C

FEATURES

Power dissipation

P_CM:

W (Tamb=25℃)

1. EMITTER

2. COLLECTOR

3. BASE

Collector current

I_CM:

1.5

1 2 3

Collector-base voltage

V_(BR)CBO180

Operating and storage junction temperature range

T_J, T_stg: -55℃ to +150℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

Test conditions

Ic=1mA, I_E=0

MIN

180

120

TYP

MAX

UNIT

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

Ic=10mA, I_B=0

I_E=1mA, I_C=0

µA

V_CB=160V, I_E=0

V_EB=4V, I_C=0

I_EBO

Emitter cut-off current

h_FE(1)

h_FE(2)

V_CE(sat)

V_BE

_CE=5V, I_C=150mA

320

DC current gain

V_CE=5V, I_C=500mA

I_C=500mA, I_B=50mA

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter voltage

V_CE=5V, I_C=150mA

1.5

MHz

Transition frequency

f_T

V_CE=5V, I_C=150mA

140

C_ob

Collector output capacitance

_CB=10V, I_E=0, f=1MHz

CLASSIFICATION OF h_FE(1)

Rank

160-320

Range

60-120

100-200

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