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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.75 | 风险等级： | 5.18 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1.5 A | 集电极-发射极最大电压： | 120 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 120 |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | JESD-609代码： | e1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN SILVER COPPER | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 80 MHz | VCEsat-Max： | 2 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD1857TV6/NQ | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, |
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| 2SD1857TV6/NR | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, |
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| 2SD1857TV6/P | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, |
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| 2SD1857TV6/PR | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, |
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| 2SD1857TV6/Q | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, |
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| 2SD1857TV6/QR | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, |
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| 2SD1857-X-T92-B | UTC |
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POWER TRANSISTOR |
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| 2SD1857-X-T92-K | UTC |
获取价格 |
POWER TRANSISTOR |
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| 2SD1857-X-T9N-B | UTC |
获取价格 |
POWER TRANSISTOR |
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| 2SD1857-X-T9N-K | UTC |
获取价格 |
POWER TRANSISTOR |
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