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2SD1857AQ PDF预览

2SD1857AQ

更新时间： 2024-02-12 06:33:18
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 66K
描述
TRANSISTOR | BJT | NPN | 160V V(BR)CEO | 3A I(C) | SIP

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2SD1857AQ 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：,Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.61Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：3 A配置：Single
最小直流电流增益 (hFE)：120极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：1 W子类别：Other Transistors
表面贴装：NO标称过渡频率 (fT)：80 MHz
Base Number Matches：1

2SD1857AQ 数据手册

  
2SD2211 / 2SD1918 / 2SD1857A  
Transistors  
Power Transistor (160V , 1.5A)  
2SD2211 / 2SD1918 / 2SD1857A  
!Features  
!External dimensions (Units : mm)  
CEO =  
1) High breakdown voltage.(BV 160V)  
2) Low collector output capacitance.  
2SD2211  
4.0  
2.5  
1.0  
0.5  
(Typ. 20pF at V  
CB =  
10V)  
(
)
1
T =  
Z
3) High transition frequency.(f 80MH )  
(
)
2
3
4) Complements the 2SB1275 / 2SB1236A.  
(
)
(1) Base(Gate)  
(2) Collector(Drain)  
(3) Emitter(Source)  
ROHM : MPT3  
EIAJ : SC-62  
!Absolute maximum ratings (Ta = 25°C)  
Parameter  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Symbol  
Limits  
160  
160  
5
Unit  
2SD1918  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
V
V
5.5  
0.9  
1.5  
V
1.5  
3
A(DC)  
A(Pulse)  
W
Collector current  
2SD1857A  
Collector  
I
C
∗1  
∗2  
1
C0.5  
2SD2211  
2
P
C
power  
dissipation  
W
∗3  
1
0.8Min.  
2SD1918  
1.5  
10  
W(Tc=25°C)  
2.5  
Junction temperature  
Storage temperature  
150  
°C  
°C  
Tj  
9.5  
Tstg  
−55 ∼+150  
(1) Base(Gate)  
(2) Collector(Drain)  
(3) Emitter(Source)  
ROHM : CPT3  
EIAJ : SC-63  
∗
∗
∗
1
2
3
Single pulse Pw=100ms  
Printed circuit board 1.7mm thick, collector plating 1cm2 or larger  
When mounted on a 40 x 40 x 0.7mm ceramic board.  
.
2SD1857A  
6.8  
2.5  
!Packaging specifications and hFE  
0.65Max.  
Type  
2SD2211 2SD1918 2SD1857A  
0.5  
Package  
MPT3  
QR  
DQ*  
CPT3  
Q
ATV  
PQ  
( )  
(
1
) ( )  
3
hFE  
2
Marking  
Code  
Basic ordering unit (pieces)  
−
TL  
−
2.54 2.54  
1.05  
0.45  
T100  
1000  
TV2  
2500  
Taping specifications  
2500  
(1) Emitter  
(2) Collector  
(3) Base  
Denotes hFE  
*
ROHM : ATV  
!Electrical characteristics (Ta = 25°C)  
Parameter  
Symbol  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
Min.  
160  
160  
5
Typ.  
−
Max.  
−
Unit  
V
Conditions  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
I
I
I
C
C
E
=
=
50µA  
−
−
V
1mA  
−
−
V
=
50µA  
I
CBO  
−
−
1
µA  
µA  
V
V
CB  
=
=
120V  
I
EBO  
−
−
1
V
EB  
4V  
Emitter cutoff current  
V
CE(sat)  
BE(sat)  
−
−
2
I
I
C
/I  
B
=
1A/0.1A  
1A/0.1A  
∗
Collector-emitter saturation voltage  
Base-emitter saturation voltage  
V
−
−
1.5  
390  
270  
−
V
C
/I  
B
=
∗
2SD2211,2SD1918  
2SD1857A  
120  
82  
−
−
−
DC current  
transfer ratio  
h
FE  
V
CE/IC = 5V/0.1A  
−
−
f
T
80  
20  
MHz  
pF  
V
V
CE  
CB  
=
5V , I  
E
= −0.1A , f 30MHz  
=
Transition frequency  
Output capacitance  
Cob  
−
−
=
10V , I  
E
=
0A , f = 1MHz  
∗
Measured using pulse current.  
1

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与2SD1857AQ相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SD1857ATV2/N ROHM

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 		1500mA, 160V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1857ATV2/NP ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
2SD1857ATV2/NQ ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
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