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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | TO-126, 3 PIN |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.83 |
| 其他特性： | BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 0.11 | 最大集电极电流 (IC)： | 3 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 100 V | 配置： | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 2000 | JEDEC-95代码： | TO-126 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SD1692-L | NEC | Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 100V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic |
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| 2SD1692L-AZ | RENESAS | TRANSISTOR,BJT,DARLINGTON,NPN,100V V(BR)CEO,3A I(C),TO-126 |
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| 2SD1692M | NEC | TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 100V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-126 |
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| 2SD1692-M | NEC | Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 100V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic |
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| 2SD1692M-AZ | RENESAS | TRANSISTOR,BJT,DARLINGTON,NPN,100V V(BR)CEO,3A I(C),TO-126 |
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| 2SD1693 | NEC | NPN SILICON DARLINGTON TRANSISTOR |
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