2SC4131

更新时间： 2024-01-17 15:10:09

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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2页	228K
描述
isc Silicon NPN Power Transistor

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2SC4131 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-3PF	包装说明：	TO-3PF, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.45
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	15 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	60	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	功耗环境最大值：	60 W
最大功率耗散 (Abs)：	60 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	18 MHz	VCEsat-Max：	0.5 V
Base Number Matches：	1

2SC4131 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

2SC4131

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V_(BR)CEO= 50V(Min)

·Low Collector Saturation Voltage-

: V_CE(sat)= 0.5V(Max)@ I_C= 5A

APPLICATIONS

·Designed for DC-DC converter, emergency lighting

inverter and general purpose applications

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

100

UNIT

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

Base Current-Continuous

I_CP

I_B

Collector Power Dissipation

@ T_C=25℃

P_C

℃

T_J

Junction Temperature

150

-55~150

Storage Temperature Range

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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