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2SC401

更新时间： 2023-12-06 20:10:29

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先科 - SWST		晶体管
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小信号晶体管

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2SC401

Characteristics at T_a= 25℃

Parameter

Symbol

Min.

Typ.

Max.

Unit

DC Current Gain

at V_CE= 2 V, I_C= 100 mA

at V_CE= 2 V, I_C= 1 A

h_FE

h_FE

200

80

-

-

400

-

-

-

Collector Base Cutoff Current

at V_CB= 60 V

I_CBO

I_EBO

-

-

-

100

nA

nA

V

Emitter Base Cutoff Current

at V_EB= 5 V

-

100

Collector Base Breakdown Voltage

at I_C= 100 µA

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

V_CE(sat)

V_BE(on)

f_T

80

60

5

-

-

-

Collector Emitter Breakdown Voltage

at I_C= 1 mA

-

-

-

-

V

Emitter Base Breakdown Voltage

at I_E= 100 µA

V

Collector Emitter Saturation Voltage

at I_C= 500 mA, I_B= 50 mA

-

0.4

1.2

-

V

Base Emitter on Voltage

at V_CE= 2 V, I_C= 500 mA

-

-

V

Gain Bandwidth Product

at V_CB= 10 V, I_C= 50 mA

-

160

15

MHz

pF

Output Capacitance

at V_CB= 10 V, f = 1 MHz

C_ob

-

-

®

2 / 5

Dated: 15/02/2023 Rev: 04

123 4 5

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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2SC4010E	ROHM	Transistor	获取价格
2SC4010Q	ROHM	Transistor	获取价格
2SC4010R	ROHM	Transistor	获取价格
2SC4010TV2	ROHM	Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon	获取价格
2SC4010TV2/E	ROHM	Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon	获取价格

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