2SC3212

更新时间： 2024-01-13 02:55:40

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	125K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SC3212 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.85
Is Samacsys：	N	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	7 A	集电极-发射极最大电压：	500 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	8
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	3 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	3.5 MHz	Base Number Matches：	1

2SC3212 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SC3212 2SC3212A

CHARACTERISTICS

Tj=25℃ unless otherwise specified

SYMBOL

V_CEO(SUS)

V_CEsat

PARAMETER

CONDITIONS

MIN

TYP.

MAX

UNIT

Collector-emitter sustaining voltage

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

I_C=0.2A;L=25mH

500

I_C=5A ;I_B=1A

1.0

1.5

V_BEsat

I_C=5A ;I_B=1A

2SC3212

Collector

V_CB=800V; I_E=0

V_CB=900V; I_E=0

V_EB=5V; I_C=0

I_CBO

100

μA

cut-off current

2SC3212A

I_EBO

h_FE-1

h_FE-2

f_T

Emitter cut-off current

DC current gain

I_C=0.1A ; V_CE=5V

I_C=5A ; V_CE=5V

I_C=0.5A ; V_CE=10V;f=1MHz

DC current gain

Transition frequency

3.5

MHz

Switching times

2SC3212

1.0

1.2

2.5

1.0

1.2

t_on

t_stg

t_f

Turn-on time

μs

2SC3212A

I_C=5A; V_CC=200V

I_B1=-I_B2=1A

Storage time

Fall time

2SC3212

2SC3212A

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