2SC2925

更新时间： 2024-02-23 16:44:51

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松下 - PANASONIC		/
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描述
Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency output amplification0

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2SC2925 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-92	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.82	最大集电极电流 (IC)：	0.7 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	1000	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.75 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	200 MHz	Base Number Matches：	1

2SC2925 数据手册

Transistor

2SC2925

P_C— Ta

I_C— V_CE

V_CE(sat)— I_C

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

120

100

I_C/I_B=10

Ta=25˚C

I_B=100µA

90µA

80µA

70µA

60µA

50µA

40µA

0.3

0.1

Ta=75˚C

25˚C

30µA

20µA

–25˚C

0.03

0.01

10µA

20 40 60 80 100 120 140 160

0.01 0.03

0.1

0.3

(

)

(

)

( )

Ambient temperature Ta ˚C

Collector to emitter voltage V_CE

Collector current I_C

V_BE(sat)— I_C

h_FE— I_C

f_T— I_E

100

2400

400

350

300

250

200

150

100

I_C/I_B=10

V_CB=10V

Ta=25˚C

V_CE=10V

2000

1600

1200

800

400

25˚C

Ta=75˚C

25˚C

Ta=75˚C

–25˚C

0.3

0.1

0.03

0.01

0.01 0.03

0.1

0.3

0.01 0.03

0.1

0.3

– 0.001 – 0.003 – 0.01 – 0.03 – 0.1 – 0.3

–1

( )

(

)

( )

Emitter current I_EA

Collector current I_C

C_ob— V_CB

f=1MHz

Ta=25˚C

100

( )

Collector to base voltage V_CB

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