2SC2712O-T

更新时间： 2024-02-16 19:48:03

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RECTRON		晶体小信号双极晶体管光电二极管放大器
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2页	291K
描述
Transistor

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2SC2712O-T 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.59
最大集电极电流 (IC)：	0.15 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	120
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.15 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	80 MHz	Base Number Matches：	1

2SC2712O-T 数据手册

RECTRON

TECHNICAL SPECIFICATION

SEMICONDUCTOR

2SC2712

SOT-23 BIPOLAR TRANSISTORS

TRANSISTOR(PNP)

FEATURES

* Power dissipation

PCM :

150

mW(Tamb=25^OC)

Collector current

ICM :

Collector-base voltage

(BR)CBO

SOT-23

Operating and storage junction temperature range

T ,Tstg: -55^OC to +150^OC

COLLECTOR

0.055(1.40)

0.047(1.20)

BASE

MECHANICAL DATA

* Case: Molded plastic

EMITTER

* Epoxy: UL 94V-O rate flame retardant

* Lead: MIL-STD-202E method 208C guaranteed

* Mounting position: Any

0.006(0.15)

0.003(0.08)

0.043(1.10)

0.035(0.90)

0.020(0.50)

0.012(0.30)

0.004(0.10)

0.000(0.00)

* Weight: 0.008 gram

0.100(2.55)

0.089(2.25)

0.020(0.50)

0.012(0.30)

0.019(2.00)

0.071(1.80)

0.118(3.00)

0.110(2.80)

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Ratings at 25^OC ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%.

Dimensions in inches and (millimeters)

ELECTRICAL CHARACTERISTICS ( @ TA = 25 C unless otherwise noted )

CHARACTERISTICS

Collector-base breakdown voltage (I = 100µA, I =0)

SYMBOL

MIN

TYP

MAX

UNITS

(BR)CBO

Collector-emitter breakdown voltage (I = 1mA, I =0)

(BR)CEO

Emitter-base breakdown voltage (I = 100µA, I =0)

(BR)EBO

0.1

Collector cut-off current (V = 60V, I =0)

µA

CBO

Emitter cut-off current (V = 5V, I =0)

EBO

DC current gain (V = 6V, I = 2mA)

700

0.25

Collector-emitter saturation voltage (I = 100mA, I = 10mA)

CE(sat)

0.1

MHz

Transition frequency (V = 10V, I = 1mA)

Output capacitance (V = 10V, I = 0, f= 1MHZ)

Cob

2.0

1.0

3.5

Noise figure (V = 6V, I = 0.1mA, f= 1KHZ, Rg= 10KΩ)

CLASSIFICATION OF h

RANK

Range

Marking

70-140

350-700

120-240

200-400

2006-3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC2712OTE85L	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236, BIP General Purpose Sma
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