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2SC2440

更新时间： 2024-02-04 14:54:54

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SAVANTIC		晶体晶体管
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4页	167K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SC2440 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
其他特性：	HIGH RELIABILITY	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	5 A	集电极-发射极最大电压：	400 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	15
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
功耗环境最大值：	40 W	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON

2SC2440 数据手册

SavantIC Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SC2440

CHARACTERISTICS

Tj=25ꢀ unless otherwise specified

SYMBOL

V_(BR)CEO

V_(BR)CBO

V_(BR)EBO

V_CEsat

V_BEsat

PARAMETER

CONDITIONS

MIN

400

450

TYP.

MAX

UNIT

Collector-emitter breakdown voltage I_C=10mA ; I_B=0

Collector-base breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Collector cut-off current

I_C=100µA ; I_E=0

I_E=100µA ; I_C=0

I_C=2A; I_B=0.4A

V_CB=400V ;I_E=0

V_EB=7V; I_C=0

0.8

1.5

I_CBO

100

µA

I_EBO

Emitter cut-off current

h_FE

DC current gain

I_C=2 A ; V_CE=5V

Switching times

Turn-on time

1.5

4.0

1.3

µs

t_on

I_C=3A; I_B1=0.3A

I_B2=-0.3A;R_L=20Ω

Storage time

Fall time

t_s

t_f

123 4

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