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Datasheet > 2SC2389S-BP
2SC2389S-BP PDF预览

2SC2389S-BP

更新时间： 2024-01-30 08:33:28
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 71K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-92S, 3 PIN

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2SC2389S-BP 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-92
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.46最大集电极电流 (IC)：0.05 A
集电极-发射极最大电压：120 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：180JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：140 MHzBase Number Matches：1

2SC2389S-BP 数据手册

 浏览型号2SC2389S-BP的Datasheet PDF文件第2页 
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
2SC2389S  
Micro Commercial Components  
Features  
50mA High-voltage  
Amplifier Transistor  
120 Volts  
•
•
•
High breakdown voltage: BVCEO=120Vdc  
Complements the 2SA1038S  
Marking : TP  
x
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability  
Classification Rating 94V-0 and MSL Rating 1  
•
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates  
RoHS Compliant. See ordering information)  
TO-92S  
A
E
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Rating  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Rating  
120  
120  
5.0  
50  
0.3  
-55 to +150  
-55 to +150  
Unit  
V
V
B
V
Collector Current  
mA  
W
PC  
TJ  
TSTG  
Collector Power Dissipation  
Operating Junction Temperature  
Storage Temperature  
OC  
OC  
C
Electrical Characteristics @ 25OC Unless Otherwise Specified  
Symbol  
Parameter  
Min  
Typ Max  
Units  
OFF CHARACTERISTICS  
BVCEO  
BVCBO  
BVEBO  
ICBO  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
120  
120  
5.0  
---  
---  
---  
---  
---  
Vdc  
Vdc  
D
(I =50uAdc)  
C
Collector-Base Breakdown Voltage  
(I =1.0mAdc)  
C
Emitter-Base Breakdown Voltage  
(I =50ì Adc, I =0)  
---  
---  
Vdc  
E
C
C
B
E
Collector Cutoff Current  
(VCB=100Vdc)  
Base Cutoff Current  
(VEB=4.0Vdc)  
---  
0.5  
0.5  
0.5  
560  
---  
uAdc  
uAdc  
Vdc  
---  
G
IEBO  
---  
---  
VCE(sat)  
hFE  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
---  
---  
DIMENSIONS  
(I /IB=10mAdc/1.0mAdc)  
C
INCHES  
MM  
DC Current Transfer Ratio  
180  
---  
---  
DIM  
A
B
C
D
MIN  
MAX  
MIN  
MAX  
---  
NOTE  
(VCE=6.0Vdc, I =2.0mAdc)  
C
.16  
.12  
4.00  
3.00  
fT  
Transition Frequency  
140  
MHz  
.59  
---  
15.00  
(VCE=12Vdc, I =2.0mAdc,  
E
.02  
.08  
.20  
0.45  
2.00  
5.00  
f=100MHz)  
Output Capacitance  
E
G
Cob  
---  
2.5  
---  
pF  
(VCB=12Vdc, I =0, f=1.0MHz)  
E
www.mccsemi.com  
1 of 2  
Revision: 4  
2008/02/01  
12

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与2SC2389S-BP相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC2389SE ROHM

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 		50mA, 120V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SPT, 3 PIN
2SC2389SR ROHM

获取价格

 		50mA, 120V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC2389SS ROHM

获取价格

 		50mA, 120V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC2389STP ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
2SC2389STP/E ROHM

获取价格

 		50mA, 120V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC2389STP/R ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SPT,
2SC2389STP/RE ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
2SC2389STP/RS ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
2SC2389STP/SE ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
2SC2389STPE ROHM

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