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2SC1815W

更新时间： 2024-01-19 11:31:48
品牌 Logo 应用领域
SECOS 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 378K
描述
NPN Transistor Epitaxial Planar Transistor

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2SC1815W 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：not_compliant风险等级：5.66
JESD-609代码：e0峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

2SC1815W 数据手册

 浏览型号2SC1815W的Datasheet PDF文件第2页 
2SC1815W  
NPN Transistor  
Epitaxial Planar Transistor  
Elektronische Bauelemente  
RoHS Compliant Product  
Description  
The 2SC1815W is designed for use in  
driver stage of AF amplifier and general  
purpose amplificaion.  
Millimeter  
Millimeter  
Min. Max.  
0.42 REF.  
REF.  
REF.  
Min.  
Max.  
1.10  
0.10  
1.00  
2.20  
1.35  
2.40  
A
A1  
A2  
D
E
HE  
0.80  
0
L1  
L
b
c
e
0.15  
0.25  
0.10  
0.35  
0.40  
0.25  
0.80  
1.80  
1.15  
1.80  
0.65 REF.  
0.15 BSC.  
Q1  
o
Ta=25  
MAXIMUM RATINGS  
ABSOLUTE  
Symbol  
C
Parameter  
Value  
Units  
VCBO  
Collector-Base Voltage  
60  
50  
V
V
V
VCEO  
VEBO  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
5
IC  
150  
225  
mA  
Total Power Dissipation  
PD  
mW  
O
Storage Temperature  
Junction and  
C
TJ,  
-55~+150  
Tstg  
o
C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS Tamb=25  
unless otherwise specified  
Typ.  
Uni  
V
t
Parameter  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Symbol  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
Min  
Max  
Test Conditions  
IC= 100 µA  
IC= 1mA  
-
-
-
-
-
-
60  
50  
5
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
V
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector-Base Cutoff Current  
Emitter-Base Cutoff Current  
Collector Saturation Voltage  
V
IE= 10µA  
ICBO  
IEBO  
-
-
-
nA  
nA  
100  
100  
250  
1
VCB= 60V  
-
-
-
VEB=5V  
*
mV  
V
VCE(sat)  
IC=100mA,IB=10mA  
IC=100mA,IB=10mA  
-
Base Saturation Voltage  
*
VBE(sat)  
-
-
*
hFE1  
120  
25  
VCE= 6V, IC=2mA  
700  
-
DC Current Gain  
*
-
hFE2  
VCE= 6V, IC=150mA  
Gain-Bandwidth Product  
Output Capacitance  
-
-
fT  
MH  
VCE= 10V, IC= 1mA,f=100MHz  
VCB=10V, f=1MHz  
z
80  
-
-
3.5  
Cob  
pF  
≦
≦
*Pulse width 380 s, Duty Cycle 2%  
µ
Classification of hFE  
C4G  
200~400  
Rank  
C4Y  
120~240  
C4B  
Range  
350~700  
http://www.SeCoSGmbH.com  
Any changing of specification will not be informed individual  
01-Jun-2002 Rev. A  
Page 1 of 2  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC1815-X-T92-A-B UTC

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