2SC1505

更新时间： 2024-09-29 21:55:35

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日电电子 - NEC		晶体晶体管放大器局域网
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8页	53K
描述
Silicon Power Transistor

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2SC1505 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	TO-220, 3 PIN
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	0.2 A	基于收集器的最大容量：	4.5 pF
集电极-发射极最大电压：	300 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	40	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	功耗环境最大值：	15 W
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	80 MHz	VCEsat-Max：	2 V
Base Number Matches：	1

2SC1505 数据手册

データ・シート

シリコン・パワー・トランジスタ

Silicon Power Transistor

2SC1505

NPN 三重拡散形シリコン・トランジスタ

カラー・テレビ・クロマ出力，音声出力用

ꢀ2SC1505 は，高耐圧かつ高周波特性にすぐれており，カラー・

テレビのクロマ出力，音声出力(1.5 W)に最適です。

★

オーダ情報

オーダ名称

2SC1505

パッケージ

TO-220AB

特ꢀꢀ徴

○高耐圧である。V^CBO= 300 V

○コレクタ容量が小さい。Cob = 4.5 pF MAX.

(TO-220AB)

絶対最大定格（T^A= 25°C）

項ꢀ目

略号

条ꢀ件

定格

単位

コレクタ – ベース間電圧

コレクタ – エミッタ間電圧

エミッタ – ベース間電圧

コレクタ電流

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C

300

7.0

200

1.2

°C

全損失

P^T

T^A= 25°C

T^C= 25°C

ジャンクション温度

保存温度

T^j

150

–55～+150

T^stg

本資料の内容は，予告なく変更することがありますので，最新のものであることをご確認の上ご使用ください。

資料番号 D14860JJ3V0DS00（第3 版）

1982, 2000

本文欄外のꢀ印は，本版で改訂された主な箇所を示しています。

ꢀ(旧資料番号ꢀTC-5084B）

発行年月 Octoberꢀ2000 NS CP(K)

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