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2SB1127R

更新时间: 2024-01-23 12:58:24
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其他 - ETC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 211K
描述
TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-126

2SB1127R 技术参数

生命周期:ActiveReach Compliance Code:compliant
风险等级:5.61Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):5 A配置:Single
最小直流电流增益 (hFE):200最高工作温度:140 °C
极性/信道类型:PNP最大功率耗散 (Abs):10 W
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
标称过渡频率 (fT):320 MHzBase Number Matches:1

2SB1127R 数据手册

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