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2SAR502E3HZG (新产品)

更新时间： 2023-09-03 20:25:10

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	1776K
描述
2SAR502E3HZG是一款非常适用于低频放大应用的低VCE(sat)晶体管。该产品是符合AEC-Q101标准的车载高可靠性产品。

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2SAR502E3 HZG

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Datasheet

llAbsolute maximum ratings (T_a= 25°C)

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Values

-30

Unit

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

-30

-6

-0.5

Collector current

I_CP

-1

I_B

Base current

-0.15

150

P_D

Power dissipation

℃

T_j

Junction temperature

Range of storage temperature

150

T_stg

-55 to +150

llElectrical characteristics (T_a= 25°C)

Values

Parameter

Symbol

BV_CBO

BV_CEO

Conditions

I = -100μA

Unit

Min.

-30

Typ.

Max.

Collector-base breakdown

voltage

Collector-emitter breakdown

voltage

I = -1mA

-30

BV_EBO

I_CBO

I = -100μA

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

-6

= -25V

= -4V

-200

-400

500

I_EBO

Emitter cut-off current

-150

Collector-emitter saturation voltage

I = -200mA, I = -10mA

CE(sat)

= -2V, I = -100mA

DC current gain

200

= -10V, I = 100mA,

Transition frequency

520

MHz

f = 100MHz

= 10V, I = 0A,

C_ob

Output capacitance

f = 1MHz

*1 Limited by power dissipation.

*2 Pw=10ms, Single pulse.

*3 Each terminal mounted on a reference land.

*4 Pulsed

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www.rohm.com

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20220721 - Rev.002

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与2SAR502E3HZG (新产品)相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SAR502EB	ROHM	PNP 500mA 30V General purpose transistors	获取价格
2SAR502U3	ROHM	适用于低频放大的低VCE(sat)晶体管。	获取价格
2SAR502U3HZG	ROHM	适用于低频放大的低VCE(sat)晶体管。	获取价格
2SAR502UB	ROHM	PNP 500mA 30V General purpose transistors	获取价格
2SAR512L	MCC	Tape: 3K/Reel , 120K/Ctn;	获取价格
2SAR512P	ROHM	Medium Power Transistors (−30V / −2A)	获取价格