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2SAR512P

更新时间： 2022-12-18 10:40:41

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罗姆 - ROHM		晶体晶体管
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5页	221K
描述
Medium Power Transistors (−30V / −2A)

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2SAR512P 数据手册

Medium Power Transistors (−30V / −2A)

2SAR512P

Structure

Dimensions

(Unit : mm)

ꢀ

PNP Silicon epitaxial planar transistor

MPT3

Features

ꢀ

1) Low saturation voltage, typically

V_{CE (sat)}= -0.4V (Max.) (I_C/ I_B= -700mA / -35mA)

2) High speed switching

(1)

(2) (3)

(1)Base

Applications

ꢀ

(2)Collector

(3)Emitter

Abbreviated symbol : MB

Driver

Packaging specifications

Inner circuit

ꢀ

(Unit : mm)

Package

Code

Taping

T100

(3)

Type

2SAR512P

Basic ordering unit (pieces) 1000

ꢁ

(1)

Absolute maximum ratings

ꢀ

(Ta = 25°C)

Symbol

(1) Base

(2) Collector

(3) Emitter

Parameter

Limits

Unit

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

-30

(2)

-30

-6

-2

Collector current

Pulsed

I_CP

P_D

T_j

-4

0.5

°C

Power dissipation

Junction temperature

150

Range of storage temperature

T_stg

-55 to 150

*1 Pw=10ms, Single Pulse

*2 Each terminal mounted on a recommended land.

*3 Mounted on a ceramic board. (40x40x0.7mm³)

www.rohm.com

2009.10 - Rev.A

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