Datasheet > 2SA1847-L

2SA1847-L

更新时间： 2024-01-06 21:54:31

品牌	Logo	应用领域
瑞萨 - RENESAS		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	142K
描述
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SA1847-L 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.24
最大集电极电流 (IC)：	10 A	集电极-发射极最大电压：	100 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	150
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	1.8 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	150 MHz	Base Number Matches：	1

2SA1847-L 数据手册

DATA SHEET

SILICON POWER TRANSISTOR

2SA1847

PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

FOR HIGH-SPEED SWITCHING

The 2SA1847 is a power transistor developed for high-speed switching and features a high h^FEat low V^CE(sat).

This transistor is ideal for use as a driver in DC/DC converters and actuators.

In addition, this transistor features a package that can be auto-mounted in radial taping specifications, thus

contributing to mounting cost reduction.

FEATURES

• Auto-mount possible in radial taping specifications

• Resin-molded insulation type package with power rating of 1.8 W in stand-alone conditions

• High h^FEand low V^CE(sat):

V^CE(sat)= −0.3 V MAX. @I^C= −6.0 V, I^B= −0.3 A

h^FE≥ 100

@V^CE= −2.0 V, I^C= −2.0 A

• Fast switching speed

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25°C)

Parameter

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current (DC)

Collector current (pulse)

Base current (DC)

Symbol

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C(DC)

I^C(pulse)

I^B(DC)

P^T

Conditions

Ratings

−150

−100

−7.0

Unit

−10

PW ≤ 300 µs, duty cycle ≤ 2%

Ta = 25°C

−20

−6.0

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

1.8

°C

T^j

150

−55 to +150

T^stg

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

Document No. D15593EJ2V0DS00 (2nd edition)

Date Published April 2002 N CP(K)

Printed in Japan

2002

1998

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

与2SA1847-L相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SA1847-L-AZ	NEC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy,
2SA1847-L-AZ	RENESAS	获取价格	10A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SA1847L-T-AZ	RENESAS	获取价格	2SA1847L-T-AZ
2SA1847M	NEC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 100V V(BR)CEO \| 10A I(C) \| SIP
2SA1847-M	RENESAS	获取价格	10A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SA1847-M-AZ	RENESAS	获取价格	10A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SA1847M-T-AZ	RENESAS	获取价格	2SA1847M-T-AZ
2SA1849D	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 70V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| SIP
2SA1849E	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 70V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| SIP
2SA1849F	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 70V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| SIP

与2SA1847-L相关文章

解读BAV99LT1数据手册：产品特性、电气参数及替换型号推荐
2024-06-18

1
资料解析：P82B96TD引脚图说明、电气参数
2024-06-18

1
ATA6621N数据手册解读：产品特性、引脚图信息、电气参数
2024-06-18

4
一文AO3400引脚图、参数、产品特性
2024-06-18

2

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SA1847-L

2SA1847-L 技术参数

2SA1847-L 数据手册

与2SA1847-L相关器件

与2SA1847-L相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SA1847-L

2SA1847-L 技术参数

2SA1847-L 数据手册

与2SA1847-L相关器件

与2SA1847-L相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？