2SA1337

更新时间： 2024-02-11 16:13:33

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日立 - HITACHI		晶体小信号双极晶体管
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5页	27K
描述
Silicon PNP Epitaxial

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2SA1337 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-W3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.45	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JESD-30 代码：	R-PSIP-W3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SA1337 数据手册

2SA1337

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Item

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Ratings

–55

Unit

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current

–50

–5

–100

300

°C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_C

150

Tstg

–55 to +150

Electrical Characteristics (Ta = 25°C)

Item

Symbol Min

Typ

Max

Unit

Test conditions

Collector to base breakdown

voltage

V_(BR)CBO

–55

–50

–5

—

I_C= –10 µA, I_E= 0

Collector to emitter breakdown V_(BR)CEO

voltage

—

I_C= –1 mA, R_BE= ∞

I_E= –10 µA, I_C= 0

Emitter to base breakdown

voltage

V_(BR)EBO

Collector cutoff current

Emitter cutoff current

DC current transfer ratio

Base to emitter voltage

I_CBO

I_EBO

h_FE*¹

V_BE

—

–0.5

320

µA

V_CB= –18 V, I_E= 0

—

V_EB= –2 V, I_C= 0

100

—

V_CE= –12 V, I_C= –2 mA

I_C= –10 mA, I_B= –1 mA

–0.75

–0.2

Collector to emitter saturation V_CE(sat)

voltage

—

Gain bandwidth product

Collector output capacitance

Noise figure

f_T

—

200

—

MHz

V_CE= –12 V, I_C= –2 mA

Cob

4.5

5.0

V_CB= –10 V, I_E= 0, f = 1 MHz

1.0

V_CE= –6 V, I_C= –0.1 mA,

R_g= 1 kΩ, f = 1 kHz

Note: 1. The 2SA1337 is grouped by h_FEas follows.

100 to 200

160 to 320

See characteristic curves of 2SA1031.

123 4 5

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